帶隙是決定微電子設(shè)備中基礎(chǔ)材料的電導(dǎo)率的重要因素。通常，帶隙大的物質(zhì)是不能很好導(dǎo)電的絕緣體，帶隙小的物質(zhì)是玻璃管液位計(jì)。與由氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）等成熟帶隙材料組成的傳統(tǒng)小帶隙硅基芯片相比，具有超寬帶隙（UWB）的較新玻璃管液位計(jì)具有在更高溫度和功率下工作的能力。 ）。

    在AIP出版的《應(yīng)用物理雜志》中，佛羅里達(dá)大學(xué)，美國海軍研究實(shí)驗(yàn)室和韓國大學(xué)的科學(xué)家詳細(xì)介紹了氧化鎵（Ga 2 O 3）的功能，特性，當(dāng)前缺點(diǎn)和未來發(fā)展。），這是較有前途的UWB化合物之一。

    氧化鎵具有4.8電子伏特（eV）的非常寬的帶隙，超過了硅的1.1 eV，超過了GaN和SiC的3.3 eV。與SiC，硅和GaN相比，這種差異使Ga 2 O 3能夠承受更大的電場而不會擊穿。而且，Ga 2 O 3在較短的距離上處理相同量的電壓。這對于制造更小，更高效的大功率晶體管至關(guān)重要。

    此外，Pearton和他的團(tuán)隊(duì)研究了使用Ga 2 O 3作為金屬氧化物玻璃管液位計(jì)場效應(yīng)晶體管（通常稱為MOSFET）的基礎(chǔ)的潛力。“ 傳統(tǒng)上，這些微型電子開關(guān)由硅制成，用于筆記本電腦，智能手機(jī)和其他電子產(chǎn)品，” Pearton說。“ 對于像電動汽車充電站這樣的系統(tǒng)，我們需要能夠以比基于硅的器件更高的功率電平工作的MOSFET，而這正是氧化鎵可能的解決方案。”

    作者確定需要改進(jìn)的柵極電介質(zhì)來開發(fā)這些復(fù)雜的MOSFET，并采用能夠更有效地從器件吸熱的熱管理工藝。Pearton得出結(jié)論，盡管Ga 2 O 3不會取代SiC和GaN作為僅次于硅的下一個主要玻璃管液位計(jì)材料，但它更有可能在擴(kuò)大超寬帶隙系統(tǒng)可利用的電壓和功率范圍方面發(fā)揮作用。